Präsentation auf der European Solid-State Circuit Conference (ESSCIRC) 2003, Estoril, Portugal, September 2003

A Quad-Band Low Power Single Chip Direct Conversion CMOS Transceiver with ΔΣ-Modulation Loop for GSM

Edmund Götz¹, Hans Kröbel¹, Günter Märzinger², Bernd Memmler¹, Christian Münker¹, Burkhard Neurauter ², Dirk Römer¹, Jörn Rubach¹, Werner Schelmbauer², Markus Scholz¹, Martin Simon¹, Ulrich Steinacker¹ und Claus Stöger²

¹ Infineon Technologies AG, Kastenbauer Str. 2, 81677 Munich, Germany
² DICE GmbH & Co KG, Freistädterstr. 401, 4040 Linz, Austria

Inhalt: Es wird ein vollintegrierter GSM Transceiver mit neuartiger Sigma-Delta Modulator Architektur vorgestellt, der in einer Standard 120nm CMOS Technologie entwickelt wurde. Der vollständig integrierte VCO arbeitet bei 4 GHz mit einem Frequenzbereich, der mit einer Auflösung von 10 Bit programmiert werden kann. Die Ausgangsleistung des Transmitters ist 8 dBm. Aufgrund des niedrigen Phasenrauschens von -162 dBc/Hz bei 20 MHz Ablage wird kein externer Transmit - SAW Filter benötigt. Das Inband - Phasenrauschen des Synthesizers beträgt nur -100 dBc/Hz, es wurde ein Gesamtphasenfehler von 1.6 °rms gemessen. Der Empfänger hat eine konstante Verstärkung von 57 dB und passt zu einem Basisbandprozessor mit 14 bit ADC. Die Rauschzahl ist typischerweise kleiner als 3 dB in allen Bändern. Der Chip wurde aufgebaut in einem 48 poligen VQFN Gehäuse.

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